微波射频相关文章

Diodes为业界标准的555定时器集成电路提供直接替代元件

Diodes公司推出一系列价格实惠的555定时器集成电路，以继续扩充其标准线性产品组合。Diodes推出的首批三款定时器，专为直接替换经久不衰的业界标准元件而设计。其操作温度范围宽广，满足商业及工业级产品标准的要求，包括适用温度介于0ºC和+70ºC 的NE555、介于-40ºC和+85ºC 的SA555，以及介于-40ºC和+105ºC 的NA555。

发表于：2012/2/23

美光与尔必达合并可能震动DRAM市场

据IHS iSuppli公司的DRAM市场研究简报，美国美光与日本尔必达如果合并，可能导致DRAM产业格局发生剧烈变化。

发表于：2012/2/16

FCI推出多端口和单端口RJ45模块插座连接器

作为一家领先的连接器和连接系统供应商，FCI正在扩大其模块插座生产线， 提供多端口和单端口RJ45连接器。该模块插座适用于宽带交换机、集线器、路由器、服务器和通信应用。与传统的完全镀金版本相比，FCI的可选镀金RJ45连接器保持原有的耐用性或性能，具有明显的竞争优势。

发表于：2012/2/16

RS Components加大亚太投资力度　大幅增加8万多件最畅销产品库存　确保了高需求产品的供应

世界领先电子产品和维修产品的高端服务分销商、Electrocomponents plc( http://www.electrocomponents.com )集团公司（LSE：ECM）的贸易品牌RS Components( http://www.rs-components.com )公司，今天宣布近期已在亚太地区增加8万多件产品库存，目前这些产品储存于公司位于澳大利亚、中国内地、香港、日本和新加坡的主要仓库中。本地区的客户现可以尽情挑选该公司电子、维护及自动化和控制等各类产品组合，并享受更快速的交付服务。 　

发表于：2012/2/15

益登科技与Packet Digital宣布达成代理协议

专业电子元器件代理商益登科技（TSE:3048）与Packet Digital达成代理协议，此次的合作结盟为Packet Digital的PowerSage集成电路产品在全球销售市场的一大进展。PowerSage集成电路产品具备按需用电（On-Demand Power）专利技术，使得益登科技的电源产品线更加完善，并可满足其广大客户的省电需求。

发表于：2012/2/15

TE电路保护部推出面向各种高数据速率应用的、业界最低电容的硅静电放电保护器件

TE Connectivity旗下的一个业务部门TE电路保护部日前发布一个系列8款全新的单/多通道硅静电放电（SESD）保护器件，可提供市场上最低的电容（双向：典型值为0.10pF，单向：典型值为0.20pF）、最高的ESD保护（20kV空气放电和接触放电）和最小尺寸封装（多通道：最小的直通外形尺寸、厚度为0.31mm）。

发表于：2012/2/15

同步降压型控制器利用 mΩ 以下的 DCR 检测提供真正的电流模式控制

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出电流模式同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3866，该控制器采用了一种新颖的 DCR 检测架构，此架构可改善电流检测信号的信噪比，从而允许使用非常低 DC 电阻的功率电感器。可采用一个低至 0.17mΩ 的功率电感器 DC 电阻，以最大限度地提高转换器效率并增加功率密度。这种新型 DCR 检测方法大幅降低了低 DCR 电阻应用中常见的开关抖动。DCR 温度补偿功能电路可在宽广的温度范围内保持一个恒定和准确的电流限制门限。

发表于：2012/2/9

恩智浦推出最高支持1.5A的突破性0.37mm超平封装肖特基整流器

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器，标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm，尺寸为1.6 x 0.8 mm，是市场上支持最高1.5A电流的最小器件。DFN1608D-2共包括六个型号的肖特基势垒整流器：其中三款为针对极低正向电压的20V型号，另外三款为针对极低反向电流的40V型号。平均正向电流范围为0.5至1.5A。

发表于：2012/2/9

飞兆半导体和英飞凌科技进一步扩展功率MOSFET兼容协议为客户保证供货稳定性

全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)和英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。

发表于：2012/2/8

双输出、多相降压型 DC/DC 控制器可与 Power Block 及 DrMOS 器件运行

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3861，该控制器可与外部功率链器件 (如 Power Block 和 DrMOS)、以及分立式 N 沟道 MOSFET 和相关的栅极驱动器配合工作，从而实现了灵活的设计配置。可并联多达 12 相和异相定时运作，以最大限度地减少输入和输出滤波，从而满足非常高的电流要求 (高达 300A)。其应用包括高电流功率分配以及工业系统、DSP 和 ASIC 电源。

发表于：2012/2/8

瑞萨宣布开发出在单芯片中集成电源转换电路的低损耗碳化硅（SiC）功率器件

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）的现有功率器件相比，其功耗大约降低了40%。

发表于：2012/2/8

瑞萨宣布开发出在单芯片中集成电源转换电路的低损耗碳化硅（SiC）功率器件

全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款新型SiC肖特基势垒二极管适用于空调、通信基站和太阳能阵列等大功率电子系统。该器件还采用了日立株式会社与瑞萨联合开发的技术，有助于实现低功耗。与瑞萨采用传统硅（Si）的现有功率器件相比，其功耗大约降低了40%。

发表于：2012/2/8

富士通半导体推出基于0.18 µm技术的全新5V I2C接口FRAM

富士通半导体（上海）有限公司近日宣布推出其基于0.18µm技术的全新系列FRAM产品家族。该系列包括MB85RC64V和MB85RC16V 两个型号，均支持I2C接口且可在5V电压下工作，即日起即可供货。 　

发表于：2012/2/7

Ramtron推出世界上最低功耗的非易失性存储器

　世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16 kb器件的型号为FM25P16，是业界功耗最低的非易失性存储器，为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品，其能耗仅为EEPROM 器件的千分之一，并具有快速读/写特性和几无乎无限次的耐用性。

发表于：2012/2/7

安森美半导体公布“2011代理合作伙伴奖”获奖名单

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)公布其2011年最佳代理合作伙伴名单。此奖项表彰在各个区域市场引领渠道销售、增加市场份额、谋取安森美半导体所收购公司之产品销售增长以及总体流程表现优异的代理商。

发表于：2012/2/7