中国科学院微电子所突破3D DRAM技术

6 月 20 日消息，中国科学院微电子研究所 6 月 17 日发布消息称，集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦设备研究院，在基于 IGZO（铟镓锌氧化物）的 2T0C 三维动态随机存取存储器（3D DRAM）研究方面取得新进展，并提出基于 2T0C 单元结构的单步高层三维集成方案，首次展示了四层 3D 2T0C 结构。

发表于：2026/6/22 上午10:25:20

我国科研团队成功构建芯片化量子通信网络

6 月 20 日消息，合肥国家实验室、中国科学技术大学的潘建伟、徐飞虎等研究人员，联合中山大学、上海交通大学等单位，成功实现了基于双场量子密钥分发（TF-QKD）协议的芯片化量子通信网络。

发表于：2026/6/22 上午10:16:48

新型量子传感装置能有效抵消激光噪声

据最新一期《自然》杂志报道，英国帝国理工学院研究团队构建了一种新型量子传感装置，首次在实验中验证了长基线原子干涉仪的关键工作原理。该装置能够有效抵消激光噪声，即使单次测量完全被噪声淹没，也能恢复出微弱信号。这一成果解决了寻找暗物质和引力波的重大难题，是迈向未来大型基础物理量子传感器的重要里程碑。

发表于：2026/6/22 上午10:15:11

闪迪新专利将NAND堆叠于GPU之下破解AI内存墙

6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。

发表于：2026/6/22 上午10:13:21

谷歌学英伟达融资换芯片 216亿担保换取TPU订单

6月20日消息，据报道，谷歌正系统性地复制英伟达的核心商业策略：以财务担保帮助数据中心获得更低成本的债务融资，同时通过循环融资安排，使其投入的部分资金以芯片采购的形式回流。

发表于：2026/6/22 上午10:00:57

我国全固态电池关键材料取得新进展

6月20日消息，据中国科学院网站消息，中国科学院大连化学物理研究所科研团队在高比能全固态电池关键材料领域取得新进展，为延长固态电池循环寿命提供了新的技术路径。

发表于：2026/6/22 上午9:59:43

英特尔加码先进封装 布局三大半导体材料赛道

6月21日消息，据媒体报道，英特尔CEO陈立武日前透露，他正在为公司未来五年至十年制定清晰的路线图与发展愿景。

发表于：2026/6/22 上午9:55:57

台积电CoPoS加速推进 硅片利用率提升至90%

人工智能（AI）芯片整合HBM存储器架构，对先进封装需求强劲，台积电正强攻新一代先进封装技术CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）并加速建设生态系统。但是，要超越当前CoWoS物理极限，玻璃核心基板能否加速量产良率，是重要关键。目前，供应链厂商正积极开发玻璃核心基板关键技术和CoPoS制程设备。

发表于：2026/6/22 上午9:54:06

传联电与英特尔共同开发12nm与3nm芯片制造工艺

6月20日消息，据科技媒体FundaAI报道，英特尔已与中国台湾第二大晶圆代工厂联华电子（UMC，简称联电）达成合作，共同开发12nm与3nm芯片制造工艺。

发表于：2026/6/22 上午9:52:21

Imec在铁电存储器研究方面取得突破

在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。

发表于：2026/6/22 上午9:34:32