EDA与制造相关文章 NAND Flash开始迈向300层 NAND Flash开始迈向300层 在NAND技术进展方面，在2022年下半年美光、长江存储宣布量产232层NAND之后，SK海力士和三星也分别量产了238层和236层的NAND。相比之下铠侠和西部数据的进展则慢一些，但也达到了218层NAND的量产。目前各家厂商都在积极的迈向300层NAND。 发表于：5/29/2024 台积电或将较原计划提前采用High NA EUV光刻机 5月28日消息，根据wccftech的报道，虽然此前台积电公开表示其路线图上的最尖端制程A16仍将不会采用High NA EUV光刻机，但是最新的消息显示，台积电有可能会修正其既定计划，提前导入High NA EUV光刻机进行试验和学习。 发表于：5/29/2024 SK海力士HBM4芯片2026年将带来6-15亿美元以上营收 SK海力士HBM4芯片2026年将带来6-15亿美元以上营收 发表于：5/29/2024 艾迈斯欧司朗拟对奥地利施泰尔马克州产能及芯片技术升级 中国 上海，2024年5月28日——全球领先的光学解决方案供应商艾迈斯欧司朗（瑞士证券交易所股票代码：AMS）今日宣布，艾迈斯欧司朗正不断加大对Premst?tten研发与生产基地的投入力度。艾迈斯欧司朗集团首席执行官兼董事会主席Aldo Kamper与奥地利联邦部长Martin Kocher、施泰尔马克州州长Christopher Drexler共同宣布，至2030年，计划向Premstätten研发与生产基地投资高达5.88亿欧元。同时，依据《欧洲芯片法案》，艾迈斯欧司朗已申请最高2亿欧元的资金支持，该申请目前已处于预通知阶段，并已提交欧盟委员会审批。此次投资旨在进一步增强奥地利半导体行业领军地位，预计在未来几年内创造250个就业岗位。 发表于：5/28/2024 美光计划投资逾50亿美元在日建厂 美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营 发表于：5/28/2024 被苹果踢出苹果供应链：超30年历史晶圆厂面临出售关闭 被苹果踢出苹果供应链：超30年历史晶圆厂面临出售关闭 发表于：5/28/2024 英伟达将提前导入FOPLP封装技术 英伟达将提前导入FOPLP封装技术：2025年应用于GB200 发表于：5/27/2024 三星否认自家HBM内存芯片未通过英伟达测试 三星否认自家 HBM 内存芯片未通过英伟达测试，“正改善质量” 发表于：5/27/2024 美光科技或向HBM专利持有者支付94亿元赔偿金 美光科技或向HBM专利持有者支付94亿元赔偿金 发表于：5/27/2024 俄罗斯成功制造出首台350nm光刻机 欧美封堵无效！俄罗斯光刻机亮相：可生产350nm芯片 7nm也会拿下 发表于：5/27/2024 消息称谷歌与台积电合作开发首款完全定制芯片Tensor G5 消息称谷歌正与台积电合作开发“首款完全定制芯片”Tensor G5，将用于 Pixel 10 手机 发表于：5/27/2024 消息称英伟达首款Windows on Arm处理器将采用英特尔3nm工艺 消息称英伟达首款 Windows on Arm 处理器将采用英特尔 3nm 工艺 发表于：5/27/2024 玻璃基板企业Absolics将获美芯片法案至多7500万美元补贴 材料领域首家，玻璃基板企业 Absolics 将获美《芯片法案》至多 7500 万美元补贴 发表于：5/27/2024 Rapidus确认将在2nm采用0.33NA EUV光刻机 Rapidus 确认将在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻机，已规划未来 1.4nm 节点 5 月 27 日消息，Rapidus 美国子公司 Rapidus Design Solutions 负责人亨利・理查德（Henri Richard）近日表示，Rapidus 的首代工艺将不采用 High NA EUV 光刻机。 发表于：5/27/2024 韩国政府斥资26万亿韩元扶持芯片产业 韩国政府斥资 26 万亿韩元扶持芯片产业，三星、SK 海力士成受益者 发表于：5/24/2024 «…148149150151152153154155156157…»
