EDA与制造相关文章 2024年全球半导体材料营收增长3.8% 4月29日消息，据国际半导体产业协会（SEMI）统计，2024年全球半导体材料市场营收达675亿美元，同比增加3.8%。 SEMI表示，整体半导体市场复苏，以及高效能运算和高频宽內存制造对先进材料需求增长，驱动了2024年半导体材料营收成长。其中，晶圆制造材料2024年营收同比增长3.3%至429亿美元，封装材料营收同比增长4.7%至246亿美元。因先进动态随机存取內存（DRAM）、3D储存型闪存（NAND Flash）和逻辑IC的复杂性和处理步骤增加，带动化学机械平坦化（CMP）和光阻剂等强劲增长两位数百分比。 发表于：4/30/2025 英特尔称18A工艺今年下半年将具备大规模量产能力 4 月 30 日消息，据路透社报道，当地时间周二，英特尔称已有数家代工客户计划为公司正在开发的新一代制造工艺制作测试芯片。 发表于：4/30/2025 英特尔更新晶圆代工路线图 4月30日讯，当地时间周二，英特尔举办晶圆代工业务Direct Connect大会。新任CEO陈立武在上千名产业链客户面前，承诺公司将继续在代工业务上发力。英特尔也在周二公开最新的工艺制程路线图。 发表于：4/30/2025 恩智浦称其业绩将受关税影响 现任CEO即将退休 当地时间4月28日美股盘后，欧洲车汽车芯片大厂恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）公布了2025年第一季（截至2025年3月30日为止）财报，由于汽车、工业及物联等市场需求均出现了下滑，导致恩智浦整体业绩也出现了下滑。 具体来说，恩智浦一季度营收为28.35亿美元，同比和环比均下滑了9%，但仍略高于分析师预期的28.3亿美元；依照一般公认会计原则（GAAP）毛利率为 55.0%，GAAP 营业利润率为 25.5%，GAAP每股收益为1.92 美元。 非依照一般公认会计原则（Non-GAAP）营业利润为9.04亿美元，同比下滑16%，环比下滑15%；Non-GAAP毛利率为56.1%，同比下滑2.1个百分点，环比下滑1.4个百分点；Non-GAAP每股收益为2.64美元，同比减少19%，环比减少17%，但仍略高于分析师预期的2.6美元。 发表于：4/30/2025 欧盟《芯片法案》所设2030年微芯片市占翻倍目标难以实现 4 月 29 日消息，欧洲审计院 ECA 当地时间昨日表示，根据其最新报告，欧盟在 2022 年版《芯片法案》中设定的到 2030 年将欧盟在全球微芯片市场中的份额提升到 20%（即 2022 年的 9.8% 的约两倍）的目标难以实现。 发表于：4/29/2025 IBM宣布5年1500亿美元投资推动量子计算机等美国制造 4 月 28 日消息，IBM 今日宣布，未来五年将在美国投资 1500 亿美元（注：现汇率约合 1.09 万亿元人民币），助力经济增长，并进一步巩固其在全球计算领域的领导地位。此次投资中，超过 300 亿美元（现汇率约合 2187.07 亿元人民币）将用于研发，推动大型主机和量子计算机在美国本土的持续制造。 发表于：4/29/2025 除和硕外的全部台系电子代工厂启动美国制造 4月29日消息，据台媒《经济日报》报道，电子代工大厂英业达也宣布加入了“美国制造”行列。而在此之前，鸿海、广达、纬创、纬颖、仁宝等台系电子代工大厂均已投入“美国制造”，随着英业达也宣布在德克萨斯州建厂，台系主要电子代工厂当中，仅剩和硕未有宣布在美国布局。 4月28日，英业达董事会批准，拟斥资上限8,500万美元，在美国德克萨斯州设立服务器制造基地。此举有望降低特朗普政府关税战干扰，助力后续营运。 发表于：4/29/2025 三星计划三年内量产V-DRAM 4月28日消息，据韩国媒体 sedaily 报导，三星电子已确定将在三年内量产被称为次世代內存的“垂直信道晶体管（VCT）DRAM”的蓝图。外界解读，三星有意比竞争对手SK海力士更早一个世代成功量产，以挽回“超级差距”的地位。 发表于：4/29/2025 中国台湾出台新规：限制台积电最先进工艺技术出口！ 4月28日消息，据台媒《经济日报》报道，中国台湾计划加强对先进工艺技术出口和半导体对外投资的控制。新的产创条例第22条已经获得了正式通过，针对台积电赴美投资将执行“N-1”技术限制，基本上禁止台积电出口其最新的生产节点，并对违规行为进行处罚。不过，该新规的具体实施日期尚未公布。 发表于：4/29/2025 联电称与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术明年通过验证 近日，晶圆代工大厂联电2024年度营运报告书出炉。其中提到，与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术平台进展顺利，预计2026年完成制程开发并通过验证。联电还披露了封装领域进展，晶圆级混合键合技术、3D IC异质整合等技术已成功开发，未来将全面支持边缘及云端AI应用。 发表于：4/28/2025 SK Hynix展示全球首款16层堆叠HBM4 4月28日消息，据wccftech报道，继今年3月宣布全球首次向客户提供12层堆叠HBM4样品之后，SK海力士在近日的台积电北美技术论坛又首次向公众展示其最新的16层堆叠HBM4方案。 据SK海力士介绍，其此次展示的16层堆叠HBM4具有高达 48 GB 的容量、2.0 TB/s 带宽和额定 8.0 Gbps 的 I/O 速度，其Logic Die则是由台积电代工。SK 海力士表示，他们正在寻求在 2025 年下半年之前进行大规模生产，这意味着该工艺最早可能在今年年底集成到产品中。 发表于：4/28/2025 TechInsights：中美关税战将致2026年全球半导体市场萎缩34% 当地时间4月26日，半导体市场研究机构 TechInsights 发表它对目前美国和中国之间持续存在的“关税战争”对于半导体产业的负面影响的看法。 发表于：4/28/2025 佳能下调2025年光刻机销量至289台 4月24日日本股市盘后，相机及光刻机大厂佳能（Canon）在公布了2025年一季度（2025年1-3月）财报的同时，下修了2025年度的整体业绩预期。 佳能一季度合并营收较去年同期增长7.1%至10584亿日元，合并营业利润同比增长20.5%至965亿日元，合并净利润同比增长20.5%至722亿日元。 发表于：4/28/2025 中汽研发布《新能源汽车电安全技术年度报告（2025）》 4 月 28 日消息，中汽中心新能源检验中心上周发布了《新能源汽车电安全技术年度报告（2025）》（下称《报告》）。 新能源汽车以“三电”系统为核心，相比传统燃油汽车，存在更多电安全方面的新问题新挑战。《报告》指出，新能源汽车行业竞争加剧，部分新技术没有得到充分验证就量产上车，为行业发展留下了潜在安全风险隐患。 《报告》中还分析了我国新能源汽车发展现状、技术发展趋势，介绍了包括“充电、电磁、功能、高压、电池、消防”六个维度的 NESTA 电安全技术验证体系。 发表于：4/28/2025 台积电升级CoWoS封装技术 目标1000W功耗巨型芯片 4月25日消息，如今的高端计算芯片越来越庞大，台积电也在想尽办法应对，如今正在深入推进CoWoS封装技术，号称可以打造面积接近8000平方毫米、功耗1000W级别的巨型芯片，而性能可比标准处理器高出足足40倍。 目前，台积电CoWoS封装芯片的中介层面积最大可以做到2831平方毫米，是台积电光罩尺寸极限的大约3.3倍——EUV极紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，台积电用的是830平方毫米。 NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是这种封装，将大型计算模块和多个HBM内存芯片整合在一起。 发表于：4/27/2025 «…30313233343536373839…»
