头条 谷歌邀请AMD设计下一代TPU 今年谷歌在Google Cloud Next 2026大会上，正式推出了第八代张量处理单元（TPU）。新产品是谷歌云和DeepMind联合设计，分为面向大规模训练的TPU 8t与面向低延迟推理的TPU 8i两款芯片，两者均运行于谷歌基于Axion Arm架构的自研CPU主机上。 最新资讯 全球首款 国产百万级原子光镊阵列芯片发布 6月23日消息，上海璇相科技近日成功研制出全球首款可产生百万级原子光镊阵列的超表面芯片。该芯片在约4毫米直径的工作区域内生成了百万级光镊位点，是目前公开报道中超表面光镊阵列达到的最大规模。 发表于：2026/6/23 HBM与DDR5产品侵权 三星存储业务在美遭专利狙击 6 月 22 日消息，三星因其高端存储产品在美国陷入专利纠纷。Netlist 已向美国国际贸易委员会（ITC）及美国得克萨斯州东区联邦地区法院（EDTX）提起诉讼，指控这家韩国企业的高带宽内存（HBM）与 DDR5 产品涉嫌专利侵权。 发表于：2026/6/23 三星Exynos 2700将采用全新SbS散热技术 6月22日消息，据外媒Wccftec报道，韩国三星电子正积极开发基于其2nm制程的下一代旗舰移动处理器Exynos 2700，以展现其在先进制程技术上的实力。但市场消息指出，三星的2奈米GAA制程在功耗、性能与面积（PPA）等关键指标上，目前仍落后于竞争对手台积电的N2P制程。为了弥补潜在的制程劣势并维持竞争力，三星正致力于研发突破性的SbS散热解决方案，力图在旗舰芯片市场中站稳脚步。 发表于：2026/6/23 英诺赛科再获德国法院不侵权判决 2026年6月19日，英诺赛科通过官网宣布，根据慕尼黑地区法院于17日作出的两项裁决，英诺赛科当前销售的氮化镓（“GaN”）功率器件产品不落入英飞凌主张的德国专利保护范围，因而在德国不受限制。 发表于：2026/6/22 中国科学院微电子所突破3D DRAM技术 6 月 20 日消息，中国科学院微电子研究所 6 月 17 日发布消息称，集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦设备研究院，在基于 IGZO（铟镓锌氧化物）的 2T0C 三维动态随机存取存储器（3D DRAM）研究方面取得新进展，并提出基于 2T0C 单元结构的单步高层三维集成方案，首次展示了四层 3D 2T0C 结构。 发表于：2026/6/22 闪迪新专利将NAND堆叠于GPU之下破解AI内存墙 6 月 22 日消息，闪迪正在研发更多创新方案以解决存储容量受限问题，例如在芯片内部堆叠 NAND 闪存。人工智能行业飞速发展，算力需求同步激增，各类性能瓶颈随之暴露，这倒逼 DRAM 与 NAND 闪存厂商跳出固有思维、探索突破性技术路线。 发表于：2026/6/22 Imec在铁电存储器研究方面取得突破 在2026年IEEE / JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上，作为全球领先的先进半导体技术研究与创新中心，imec展示了铁电存储器研究的两项进展，重点将铁电电容器和铁电场效应晶体管作为新兴候选材料，以实现低压工作和高密度集成。 发表于：2026/6/22 龙芯中科发布纯血全自研工作站 6月18日消息，日前，龙芯中科宣布，联合砺算科技、挚科正式发布乾启ZK3C60S-W全自研国产专业工作站。 发表于：2026/6/18 游戏多开无压力！2026 高性能旗舰手机选购推荐 本次选取三款 2026 年上市的高性能机型，从产品简介、核心配置、性能参数、跑分、游戏与多任务体验等维度逐一解析。 发表于：2026/6/18 三星电子展示全球首款5nm MRAM研发成果 6 月 17 日消息，据韩媒 SEDaily 当地时间 12 日消息，三星电子在 2026 年度 IEEE VLSI 研讨会上展示了全球首款 5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。 发表于：2026/6/18 <…10111213141516171819…>
