工业自动化最新文章 意法半导体推出新款栅极驱动器 2025 年 6 月 23 日，中国——意法半导体推出新一代集成化栅极驱动器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相无刷电机，提高消费电子和工业设备的性能、能效和经济性。 发表于：6/24/2025 英特尔再次因财务问题推迟俄亥俄州晶圆厂 6月23日消息，据外媒 NBC4i 报道称，由于财务问题，英特尔已经多次推迟了其在俄亥俄州晶圆厂（曾被称为 Silicon Heartland）的建设和设备采购，现在的量产时间表已经推迟到了2031年，但这将使得英特尔的供应商——美国电力 （AEP） 在俄亥俄州的变电站将持续闲置。 发表于：6/24/2025 曝三星1.4nm推迟至2028年 6月24日消息，据媒体报道，三星原定于今年第二季度动工的1.4nm测试线建设计划已被推迟，预计投资将延后至今年年底或最早明年上半年。 发表于：6/24/2025 富士通2nm CPU仍交由台积电代工 6月24日消息，据日经新闻报道，日本富士通（Fujitsu）目前正研发2nm CPU “MONAKA”，预计将交由台积电代工生产。不过，富士通也表示，日本初创晶圆代工企业Rapidus 对于确保供应链稳定性来说非常有用。 据了解，富士通Monaka是一款面向数据中心的处理器，采用基于台积电的CoWoS-L封装技术的博通3.5D XDSiP技术平台，拥有36个计算小芯片。其中主要的CPU计算核心基于Armv9指令集，拥有144个CPU内核，采用台积电2nm制程制造，并使用混合铜键合 （HCB） 以面对面 （F2F） 方式堆叠在 SRAM tiles 上（本质上是巨大的缓存）。SRAM tiles是基于台积电的5nm工艺制造的。计算和缓存堆栈伴随着一个相对巨大的 I/O 芯片，该芯片集成了内存控制器、顶部带有 CXL 3.0 的 PCIe 6.0 通道以连接加速器和扩展器，以及人们期望从数据中心级 CPU 获得的其他接口。 发表于：6/24/2025 2026年约1/3手机芯片采用2nm/3nm先进工艺 CounterPoint 预测 2026 年约 1/3 出货手机芯片采用 2nm / 3nm 先进工艺 发表于：6/24/2025 阿里云推出自动驾驶模型加速框架PAI-TurboX 训练时间可缩短 50%，阿里云推出自动驾驶模型加速框架 PAI-TurboX 发表于：6/24/2025 西门子宣布计划在重庆建立创新研发中心 6 月 23 日消息，西门子中国今日发文，当地时间 6 月 19 日，重庆市委书记袁家军与中国驻德国大使邓洪波一行，到访西门子总部（柏林），并与西门子董事会主席、总裁兼首席执行官博乐（Roland Busch）、西门子中国董事长、总裁兼首席执行官肖松等管理层进行会谈。双方围绕中德产业共创共赢、西门子与重庆战略合作深化、创新能力共建等话题进行了深入交流。 发表于：6/24/2025 瑞萨电子因Wolfspeed破产将认列2500亿日元损失 由于碳化硅（SiC）材料大厂Wolfspeed 可能将在近期内申请破产，6月23日，曾与Wolfspeed达成碳化硅供应协议的瑞萨电子，已与 Wolfspeed及其主要债权人签署重组支持协议（以下简称“重组支持协议”），以对 Wolfspeed 进行财务重组。瑞萨预计将认列2500亿日元损失。 发表于：6/24/2025 中国科学院双向高导热石墨膜研究获突破 中国科学院上海微系统所：双向高导热石墨膜研究获突破，为 5G芯片、功率半导体热管理提供技术支撑 6 月 23 日消息，近日，中国科学院上海微系统所联合宁波大学研究团队在《Advanced Functional Materials》发表研究，提出以芳纶膜为前驱体通过高温石墨化工艺制备低缺陷、大晶粒、高取向的双向高导热石墨膜，在膜厚度达到 40 微米的情况下实现面内热导率 Kin 达到 1754W/m·K，面外热导率 Kout 突破 14.2W/m·K。与传统导热膜相比，双向高导热石墨膜在面内和面外热导率及缺陷控制上均表现出显著优势。 发表于：6/23/2025 英特尔公布18A工艺节点技术细节 6 月 22 日消息，英特尔在 2025 年超大规模集成电路技术与电路研讨会（Symposium on VLSI Technology and Circuits）上披露下一代 Intel 18A 工艺节点技术细节。 发表于：6/23/2025 三星被曝芯病严重：伪造数据、掩盖缺陷 6 月 19 日消息，据海外科技媒体 Rest of World 报道，三星电子的芯片工程师正在流失，由于长时间工作、低工资和充满敌意的工作文化，许多芯片员工纷纷跳槽，投奔包括美国公司在内的竞争对手。剩下的员工不得不长时间、高强度地轮班工作，以弥补空缺。 发表于：6/23/2025 传联电计划收购彩晶南科厂以发展先进封装 近日市场传出消息称，晶圆代工大厂联电有意在南科收购瀚宇彩晶厂房。对此，联电响应表示，对于市场传言不予评论。不过针对未来在中国台湾产能规划，联电指出，目前已在新加坡建置2.5D先进封装产能，并已将部分制程拉回中台湾，不排除未来在台扩厂的可能。 未来将依据业务发展与整体策略，搭配既有的晶圆对晶圆键合（Wafer to Wafer Bonding）技术，持续在台湾推进更完整的先进封装解决方案。 联电目前于南科设有Fab 12A厂，于2002年开始量产，现已导入14nm制程，提供客户高阶定制化制造。据业界信息指出，联电正洽谈购置Fab 12A厂对面的彩晶厂房，未来可能规划用于发展先进封装产能。 发表于：6/23/2025 美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免” 美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免” 6月20日，据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 （Jeffrey Kessler） 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国使用美国技术（主要是半导体设备）的豁免。 发表于：6/23/2025 消息称软银构想在美国建设万亿美元超级科技工业综合体 6 月 20 日消息，彭博社早些时候报道称，软银创始人孙正义构想在美国亚利桑那州建设一个价值万亿美元的工业综合体，覆盖从 AI 到工业机器人的多样化产业。 发表于：6/20/2025 MIT新3D半导体工艺探索突破摩尔定律新路径 6 月 20 日消息，麻省理工学院（MIT）的研究团队开发出一种低成本、可扩展的制造技术，可将高性能氮化镓（GaN）晶体管集成到标准硅芯片上，从而提升高频应用（如视频通话、实时深度学习）的性能表现。 发表于：6/20/2025 «…234567891011…»
