工业自动化最新文章 ADI预警部分产品交期已延长至6个月 2026年7月3日，模拟芯片大厂ADI向客户发出预警称，本轮半导体供应紧张源于市场需求的广泛增长，目前已波及ADI部分产品线，部分型号的交货期已延长至六个月。 发表于：2026/7/7 士模微电子以自主创新服务中国智造升级 作为国内极少数覆盖信号链七大产品线、具备全品类架构自主定义能力的高端模拟信号链企业，北京士模微电子有限责任公司正是在这一产业背景下，以全正向设计和架构创新切入高性能模拟信号链，补齐国产高端模拟芯片的关键短板。 发表于：2026/7/6 国产镓仁半导体建成6/8英寸氧化镓同质外延量产线 7 月 6 日消息，杭州镓仁半导体有限公司（下称“镓仁半导体”）今年 6 月宣布，基于自研铸造法单晶生长与 MOCVD 外延工艺，建成全球首条 6/8 英寸氧化镓同质外延量产线，向头部芯片客户批量供货。 发表于：2026/7/6 三星4nm订单积压 将选择性接单 7月4日消息，据报道，三星电子晶圆代工部门已针对部分制程启动配额机制，三星代工业务订单积压额已达约50万亿韩元。 发表于：2026/7/6 芯原推出CPP2000摄像头后处理IP CPP2000能够提升移动成像场景下的图像质量与视觉感知能力，为机器人、无人机及其他移动视觉应用提供更加稳定可靠的视觉处理性能。 发表于：2026/7/5 英飞凌宣布启用德国德累斯顿智能功率晶圆厂 【2026年7月2日，德国德累斯顿讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab，以下同），较原计划提前数月投产。 发表于：2026/7/3 imec发布制程路线图 2038年有望实现0.3纳米工艺 7月2日消息，全球顶尖半导体研究机构比利时微电子研究中心（imec）近日发布2026年制程技术路线图，预测2038年有望实现0.3纳米制程工艺，并指出互补式场效应晶体管（CFET）架构是突破下一代先进制程的核心技术。 发表于：2026/7/2 英飞凌完成对艾迈斯欧司朗非光学模拟/混合信号传感器业务的收购 【2026年7月2日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）今日宣布，已完成对艾迈斯欧司朗集团（SIX：AMS）非光学模拟/混合信号传感器业务组合的收购。该交易于2026年2月宣布，目前已获得所有必要的监管批准。 发表于：2026/7/2 中国逆变器或遭欧美禁令“夹击” 7月1日消息，据路透社援引五位知情人士报道称，美国特朗普政府正在起草一项禁止进口外国逆变器的禁令，这些逆变器主要用于将太阳能项目和电池连接到电网，原因是担心这些逆变器可能被利用来扰乱电力供应。 发表于：2026/7/1 国产芯片设备巨头借并购补齐PVD与刻蚀短板 7月1日消息，半导体设备龙头拓荆科技于近日发布公告，公司正筹划以发行股份及支付现金的方式收购无锡尚积半导体控股权。 发表于：2026/7/1 意法半导体发布紧凑型 dToF 三维激光雷达模块，赋能边缘 AI 系统实现高精度空间感知 VL53L9 是意法半导体首款一体化直接飞行时间 (dToF) 3D 激光雷达模块，可以测量2300 个区位，广视场角， 100 帧/秒，片上集成处理器，测距长度 5 厘米至 9 米 发表于：2026/7/1 2026年全球300mm存储器晶圆厂设备投资首超500亿美元 6 月 30 日消息，SEMI（国际半导体产业协会）美国当地时间昨日根据其最新报告预测，全球 300mm 存储器晶圆厂设备投资预计将在 2026 年首次突破 500 亿美元关口，达到 520 亿美元（注：现汇率约合 3538.3 亿元人民币），同比增长 29%。 发表于：2026/6/30 三星电子1.4nm先进制程研发加速 6 月 30 日消息，韩媒 the bell 当地时间 26 日报道称，三星电子正重新加速 1.4nm (SF1.4) 工艺节点的研发工作。该先进制程一度计划 2027 年量产，但由于晶圆代工业务重心调整，量产时间推迟至 2029 年。 发表于：2026/6/30 TrendForce预估晶圆代工成熟制程涨价效应延伸至 2027 年 6 月 30 日消息，据 TrendForce 集邦咨询最新调查，随着 AI Server、General Purpose Server（通用型 Server）与 Edge AI 周边需求持续升温，晶圆代工产能配置明显朝 AI 相关产品倾斜，加速改变成熟制程供需结构。 发表于：2026/6/30 安徽凌光发布国内首创的集成化电性失效分析设备 6月29日，安徽凌光红外科技有限公司正式发布国内首创的集成化电性失效分析设备——LUXET VERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化（EMMI+OBIRCH）二合一显微镜，填补国内相关领域市场空白。该设备搭载深度制冷近红外相机与大口径自研1.35倍物镜，深度融合两大主流失效分析功能，可分别实现纳安级微弱漏电精准定位、pA级超高精度电流放大测量，全面覆盖半导体全链条检测需求。凌光红外此前已推出多款同类检测设备，多项性能指标超越国际同类产品，目前已和合肥半导体产业链链主企业建立稳定合作关系，为集成电路产业自主可控提供支撑。 发表于：2026/6/30 <12345678910…>
