三星制造出首个10nm以下DRAM工程裸晶
根据韩国媒体The Elec报导,三星电子已成功制造出全球首款制程低于10nm级的DRAM工程裸晶,代表着内存产业正式突破长久以来的物理极限限制。
发表于:2026/4/28 上午9:11:23
商务部回击欧盟《工业加速器法案》
发表于:2026/4/27 下午2:22:59
赛道狂飙的秘密:内存撑起机器人的“超强大脑
对人形机器人而言,内存就像是其“数字中枢”的临时记忆中枢,承担着数据临时存储、高速读取与实时传输的关键职责。
发表于:2026/4/27 上午11:08:24
国内DDR5首次大降价 降幅34%仍比之前贵五倍
发表于:2026/4/27 上午11:07:19
