EDA与制造相关文章 闻泰科技：安世中国独立运营体系已基本完成搭建 5月29日消息，闻泰科技董事长杨沐近日宣布，安世中国独立运营体系已基本完成搭建，安世中国核心管理、研发、市场团队扎根中国，拥有完整经营决策权，能够精准匹配中国高端制造的需求，并快速响应全球市场。 发表于：2026/5/29 比亚迪成为全球唯一一家拥有芯片全流程制造能力车企 李云飞分享的图片显示，比亚迪是全球唯一一家拥有芯片全流程制造能力的车企，覆盖产品定义、架构设计、电路设计、版图设计、晶圆制造、封装、芯片测试等流程。 发表于：2026/5/29 英特尔EMIB-T细节公布 芯片可直接嵌入硅网桥 在去年4月的英特尔代工大会上，英特尔发布了最新的2.5D先进封装技术，其中就包括了面向未来高带宽内存需求的EMIB-T先进封装技术，这也是首个使用 TSV 通过桥接器发送信号（而非绕过桥接器）的 EMIB 实现，主要面向Die to HBM4互联。 发表于：2026/5/29 从4层到6层PCB 差别在哪里 从Wi-Fi 6/7路由器、独立显卡，到PLC控制模块、便携医疗设备和无人机主板，很多高性能电子产品背后都离不开6层PCB。相比常见的2层板、4层板，6层PCB并不是简单“多了两层铜”，而是为更复杂的布线、更稳定的电源、更好的信号完整性和更高的系统可靠性提供了空间。 发表于：2026/5/29 涉闻泰业务收购 立讯精密被罚 处罚决定书显示，立讯精密在收购相关业务时，未依法事先申报即实施经营者集中，违反了《反垄断法》相关规定，构成违法实施经营者集中。经评估，该项集中不具有排除、限制竞争的效果。综合考虑违法行为的性质、程度、持续时间及消除后果等情况，市场监管总局决定对立讯精密处以90万元罚款。 发表于：2026/5/28 台积电计划3nm制程再次涨价 "5月27日消息，台积电计划于下半年再度上调3纳米制程报价，涨幅最高达15%，后续还可能进一步上涨5%至10%。此轮涨价并非单一客户拉货所致，是AI时代先进制程供需结构发生根本性转变的集中体现。过往3纳米制程需求主要来自智能手机SoC，当前英伟达、AMD、谷歌、AWS及多家云端服务商加速导入3纳米，叠加大型云服务商积极布局自研ASIC拓宽需求来源，3纳米投片需求快速升温，先进制程供应持续紧张。2026年第一季度台积电合并营收约11341亿元新台币（约合2446.25亿元人民币），同比增长35.1%，环比增长8.4%，其中3纳米制程出货占晶圆销售金额的25%。" 发表于：2026/5/28 长鑫科技IPO成功过会 2026年5月27日，上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）科创板IPO成功过会。上交所上市审核委员会认为，长鑫科技符合发行条件、上市条件和信息披露要求。 发表于：2026/5/28 三星罢工威胁正式消除 薪酬协议通过 5月27日消息，据韩联社报道，三星电子管理层与工会就2026年工资谈判达成的初步协议在工会投票中获得了70%以上的赞成票通过，随后双方在京畿道龙仁市箕兴的三星电子The UniverSE举行了签约仪式，正式签署了该协议。至此，三星电子的工会总罢工威胁终于是消除了。但是，由于三星电子内外对该协议和工会投票有效性的反对声浪持续不断，在彻底实现稳定之前还有许多障碍需要克服。 发表于：2026/5/28 传AMD Zen7核心将采用台积电A14制程 据外媒techpowerup报道，供应链消息显示，AMD下一代 Zen 7 芯片将采用台积电A14制程打造，并搭配新一代3D V-Cache技术，同时还将采用力成FOPLP（扇出型面板级封装）方案。 发表于：2026/5/28 AMD 调整 Vivado 授权规则引争议 AMD 要求 Linux 平台的 Vivado 芯片设计工具用户付费使用新版软件，否则只能继续使用即将停止维护的旧版本。 发表于：2026/5/27 主要NAND原厂2026年几无新增产能 5 月 25 日消息，机构 TrendForce（集邦）今日根据最新 NAND 闪存产业调查表示，主要 NAND 原厂今年几无新增产能。而由于 AI 需求持续强劲，因此 NAND 的供给短缺预计持续整个 2026 年。 发表于：2026/5/26 SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM” 5月26日，SK海力士发布名为iHBM的控温散热存储技术。该技术核心为新开发的冷却元件ICE，采用绝缘、高导热性硅基材料制成，不同于传统HBM产品依赖核心芯片向外导热的间接散热方式，iHBM将ICE直接嵌入发热最集中的D2D PHY区域构建专用排热通道，相比传统方案热阻降低30%以上，有效提升严苛环境下的产品运行稳定性。该技术采用已广泛验证的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，可实现规模化稳定量产，且兼容现有系统级封装环境，导入门槛较低。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算及AI数据中心等场景的散热管理需求。 发表于：2026/5/26 美光HBM4产出效率暴涨2倍 明年量产HBM4E已锁定 5月25日消息，据报道，美光第六代高带宽内存HBM4产能爬坡进展顺利，其产能提升速度较上一代HBM3 12层产品实现2倍增长，且良品率优化速度显著加快。 发表于：2026/5/26 三星罢工再生变故 非半导体部门申请法院禁令 5月25日消息，据报道，以三星电子非半导体DX部门（含手机、家电、电视）为主的三大工会，向水原地方法院申请临时禁令，要求停止2026年劳资暂定薪资协议的全员投票程序，投票原定5月27日上午10点截止。 发表于：2026/5/26 美光美国新DRAM晶圆厂量产 DDR4产能翻4倍 当地时间5月22日，存储芯片大厂美光科技公司庆祝其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片，这是该公司大幅扩展美国内存制造的重要一步。作为美国唯一的内存制造商，美光在加强美国国内内存供应方面具有独特优势。 发表于：2026/5/26 <12345678910…>
