EDA与制造相关文章 英特尔否认引入盛美设备用于Intel 14A产线 12月12日消息，据路透社援引两名知情人士的消息报导指出，芯片大厂英特尔（Intel）在2025年间测试了中国半导体设备制造商——盛美半导体（ACM Research）的半导体设备，引发了美国政府的关注。 发表于：12/15/2025 存储价格疯涨 戴尔宣布商用PC涨价30% 12月14日消息，据外媒Business Insider 报道，其取得的PC及服务器大厂戴尔内部的一份价格调整清单显示，为应对存储芯片价格的持续上涨，戴尔将大幅上调面向企业客户的商用PC产品价格，涨幅最高30%。 发表于：12/15/2025 传联发科拿下两代谷歌TPU定制大单 12月15日消息，据台媒《经济日报》报道，随着谷歌（Google）张量处理器（TPU）需求大涨，传闻谷歌扩大了对联发科合作定制新一代TPU v7e的订单，订单量预计将比原计划激增数倍。 发表于：12/15/2025 消息称三星有意向高通和苹果开放芯片降温30%封装技术 12 月 12 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（12 月 11 日）发布博文，报道称三星代工（Samsung Foundry）近日推出名为“Heat Pass Block”（HPB）的全新封装技术，并计划将其开放给苹果和高通等客户。 发表于：12/12/2025 JEDEC固态技术协会接近完成SPHBM4规范 12 月 12 日消息，JEDEC 固态技术协会美国加州当地时间 11 日宣布，其已接近完成 SPHBM4 内存规范。这里的 "SP" 是 "Standard Package"（标准封装）的首字母简写。 发表于：12/12/2025 台积电熊本晶圆二厂将升级4nm制程 12月11日消息，据《日经新闻》报道，台积电正在考虑升级其尚未建成的日本熊本晶圆厂（Fab 23）二厂的工艺技术，以便在日本制造更为先进的N4（4nm）制程芯片。 发表于：12/12/2025 英特尔在欧盟反垄断案中败诉 12月11日，据路透社报道，当地时间本周三，美国芯片制造商英特尔未能推翻欧盟2023年做出的反垄断裁决，欧洲高等法院维持了之前的裁决，但将罚款金额降低到了2.37亿欧元（2.78亿美元）。 发表于：12/12/2025 传铠侠明年将量产332层NAND Flash 12月11日消息，据日经新闻报道称，存储芯片大厂铠侠（Kioxia）将在2026年开始生产332层的第10代NAND Flash，抢占AI数据中心需求。 发表于：12/12/2025 瑞银报告显示DRAM短缺将持续到2027年一季度 12月12日消息，瑞银集团（UBS）近日发布的一份最新报告指出，在AI需求激增、存储产能调整等多重因素的影响下，预计今年第四季DDR合约价将环比上涨35%，NAND Flash合约价将环比上涨20%，涨幅均超出此前预期。 发表于：12/12/2025 中国商业航天市场规模今年将破2.8万亿元 12 月 11 日消息，“十五五”规划建议将航空航天列为我国四大战略性新兴产业之一，据央视新闻报道，目前，我国卫星产业已进入快速发展期。 发表于：12/11/2025 传英伟达拿下台积电明年过半CoWoS产能 12月10日消息，先进封装正成为人工智能（AI）芯片行业最大的产能限制因素之一。根据台媒DigiTimes的一份报告显示，英伟达为保障AI芯片的产能，已经获拿到了2026年台积电CoWoS先进封装超过一半的产能。 发表于：12/11/2025 全球首创空中蜂群母舰 我国“九天”无人机首飞成功 12月11日消息，据中国航空工业集团有限公司介绍，“九天”无人机已在陕西蒲城圆满完成首飞任务。作为我国自主创新的大型通用无人机平台，该机型采用“通用平台+模块化任务载荷”设计理念，依托自主集成技术创新。 发表于：12/11/2025 丰田将在BEV车载充电系统导入Wolfspeed碳化硅MOSFET器件 12 月 11 日消息，今年早些时候成功完成破产重组的美国碳化硅 (SiC) 半导体企业 Wolfspeed 当地时间本月 9 日宣布，其车规级 SiC MOSFET 获得丰田汽车采用。 发表于：12/11/2025 国际半导体巨头投资EDA，意欲何为？本土企业如何突围？ 在今年 ICCAD 高峰论坛上，硅芯科技创始人赵毅博士系统性提出“2.5D/3D EDA⁺ 新设计范式，重构先进封装全流程设计、仿真与验证的协同创新”（以下简称 “EDA⁺”）。这不是对传统 EDA 工具列表的简单加减，而是围绕先进封装场景，对设计方法、数据底座与协同模式的一次整体重构。 发表于：12/10/2025 Intel公布三大全新晶体管材料 Intel在2025年IEEE国际电子器件会议上展示了三种可用于MIM堆叠的新材料——铁电铪锆氧化物、氧化钛和钛酸锶，其中后两者为超高K材料，在深槽电容结构中可把平面电容值提升至60–98 fF/μm²，漏电降至业界目标的1/1000，且兼容标准后端工艺，可在不牺牲电容漂移与击穿电压指标的前提下解决先进制程供电稳定性难题。 发表于：12/10/2025 «…3456789101112…»
