EDA与制造相关文章 多核异构通用控制计算机模块设计与实现 提出了一种基于系统级封装（SiP）技术的高集成、小型化的多核异构通用控制计算机模块设计思路和实现方法。该模块集成多核DSP、FPGA、SDRAM、Flash等9颗大规模集成电路，采用高温共烧陶瓷管壳（HTTC），通过双面双腔布局封装设计技术，实现了复杂系统电路的小型化、通用化高密度集成。此外，针对模块中高速SerDes电路信号完整性、大功率有源器件散热困难、大规模电路电源完整性等问题，通过综合机、电、力、热等仿真及优化方法，实现了模块高密度集成过程中电路的高可靠设计，并完成了样品小批量试制和功能性能测试。经测试，产品尺寸为39 mm×39 mm×6.49 mm，重量为29 g，相比于分立器件组合的系统，体积重量可降低80%以上。常温25 ℃及高温105 ℃下，微系统模块内部DSP和FPGA功能运行稳定、存储器读写正常、高速通信速率可达5 Gb/s，各项功能和性能指标均满足设计预期。本研究为系统级封装产品的小型化、高集成、高可靠设计提供思路和方法。 发表于：2026/2/26 基于扇出型晶圆级封装的X波段异构集成T/R模组研制 基于扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，设计并制造了一款X波段四通道收发模组。模组异构集成了CMOS和GaAs两种工艺的芯片，可实现接收射频信号的低噪声放大、幅相控制及功率放大输出等功能。模组内部通过重布线层实现芯片间的互联以及扇出，与印制电路板通过球栅阵列实现垂直连接，模组最终体积仅为12.8 mm×10.4 mm×0.5 mm。模组经测试，结果为接收增益≥27 dB，噪声系数≤4 dB，发射增益≥26.7 dB，饱和输出功率≥24 dBm，四位数控衰减精度RMS≤1 dB，六位数控移相精度RMS≤6°，符合设计预期，在高密度树脂基封装的基础上整合了两种材质芯片的特性，实现了优异的性能。 发表于：2026/2/26 ASML发布2025年度报告 荷兰菲尔德霍芬，2026年2月25日—— 阿斯麦 (ASML) 今日发布2025年度报告（以下简称“年报”）。 发表于：2026/2/26 闪迪与SK海力士携手正式启动高带宽闪存标准化进程 2 月 26 日消息，Sandisk 闪迪与 SK 海力士昨日在闪迪美国总部联合举办“HBF 规格标准化联盟启动会”，这标志着两大存储原厂正式启动了高带宽闪存 (HBF) 的全球标准化进程。 发表于：2026/2/26 特朗普新关税依据仍存疑虑 拟用301条款加征关税 当地时间2月24日，美国政府智库“布鲁金斯研究所”（Brookings Institution）举办线上座谈会，邀请专家学者分析美国总统特朗普的对等关税政策被最高法院裁决违法后，特朗普关税及贸易政策的未来。 发表于：2026/2/26 苹果谋求引入中国存储芯片供应商 据外媒消息称，苹果正在评估引入中国存储厂商长江存储与长鑫存储，以满足存储供应的潜在风险。目前，苹果的存储供应链主要由几家巨头公司提供，DRAM内存的主要供应商是三星电子，其为iPhone 17系列提供了约60%的DRAM内存，SK海力士和美光吃下剩下的40%供货。在NAND闪存方面，则由三星、SK 海力士、铠侠主要供货。 发表于：2026/2/26 贸泽电子亮相SPS广州，一站式工业自动化平台加速AI+制造落地 2026年2月25日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics)宣布，将于3月4-6日亮相2026 SPS广州国际智能制造展（展位号：11.2号馆F29号）。本届展会，贸泽电子将携手安费诺、恩智浦、 芯科科技、VICOR等国际知名厂商，聚焦AI+制造，带来面向工业自动化、机器人技术与工业5.0的领先解决方案。 发表于：2026/2/25 大疆正式起诉美国联邦通信委员会 美国联邦通信委员会于12月23日将大疆列入“受管制清单”，大疆于2月20日向第九巡回上诉法院提起诉讼，指控FCC程序与实质违法。禁令发布后，美国市场出现囤货潮，二手设备价格涨200%，经销商单周销售额增8倍；影视、农业、应急用户集体抗议，称无同等性价比替代品。大疆在全球民用无人机市占率超70%，美国执法机构80%使用其产品；运动相机全球份额66%，全景相机单品份额43%。此前大疆已于2024年10月18日及2025年10月14日就列入“中国军事企业清单”起诉美国防部。 发表于：2026/2/25 ASML宣布全新EUV光刻机重大飞跃 2月25日消息，ASML阿斯麦近日确认，全新一代Twinscan NXE EUV光刻机研发进展顺利，光源功率将提升50％达到1000W，生产效率也将提升20％达到每小时330块晶圆，预计2030年或更晚时候面世。 发表于：2026/2/25 英伟达苹果等百万年薪挖角HBM与NAND人才 美国科技巨头正围绕三星电子与SK海力士的存储工程师展开定向挖角：NVIDIA为HBM岗位开出258750美元基础年薪，苹果NAND产品工程师年薪305600美元，联发科、高通、谷歌、博通、特斯拉、美光同步在韩国或硅谷竞逐HBM、3D DRAM、AI芯片设计人才，美光更传两倍薪资加3亿韩元签约金。为遏制流失，SK海力士2026年初发放月薪2964%的创纪录绩效奖金，三星半导体亦给出年度总薪资47%的AI热潮以来最高奖金。 发表于：2026/2/25 Manz 亚智科技携手 XTPL 开发半导体超精细点胶设备解决方案 双方将携手推动这项技术在半导体先进封装领域的应用及商业化发展，为客户提供从研发到量产设备导入的完整技术解决方案。 发表于：2026/2/24 SK否认在日本建设DRAM内存晶圆厂 2 月 23 日消息，参考《日本经济新闻》当地时间 20 日报道，SK 同日表示从未讨论过在日本建设 DRAM 内存晶圆厂，否认了部分媒体提到的传闻。 发表于：2026/2/24 台积电产能扩张提速 有望同步推进十座晶圆厂 台积电中国台湾地区同步推进十座晶圆厂建设：宝山Fab 20为2nm基地，第三、四座处于土木工程；高雄Fab 22聚焦2nm并扩至A16，首座已量产，第二座试产，第三座结构封顶，第四、五座开工，前五座预计2027年第四季度全面运营；台中Fab 25规划四座厂，预计2028年下半年量产1.4nm，同步建设AP5B先进封装厂区，预计2026年竣工；嘉义AP7厂区同步推进，建成后将强化区域生产中心地位。 发表于：2026/2/24 商务部：将20家日本实体列入出口管制管控名单 2月24日，商务部连发2026年第11号、第12号公告：将三菱造船等20家“提升日本军事实力”的日本实体列入出口管制管控名单，禁止任何中国两用物项对其出口或境外转移，正在开展的活动须立即停止，特殊出口须向商务部申请；同时将斯巴鲁等20家“最终用户、用途无法核实”的日本实体列入关注名单，两公告均自发布之日起实施。 发表于：2026/2/24 瑞萨深化与格罗方德达成了数十亿美元半导体制造新协议 2 月 22 日消息，Renesas 瑞萨与 GlobalFoundries 格罗方德本月 17 日宣布扩大已有的战略合作，双方达成了一项价值数十亿美元的车用与工业领域半导体制造新协议。 发表于：2026/2/23 <12345678910…>
